- 产品型号:NE3509M04-A
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:SOT-343F
- 功能类别:RF FET
- 功能描述:AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
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Renesas瑞萨完整型号: NE3509M04-A
制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
功能总体简述: AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
系列: -
晶体管类型: HFET
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 2GHz
增益: 17.5dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 2V
额定电流: 60mA
功率 - 最大值: -
噪声系数: 0.4dB
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: 11dBm
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 4V
封装/外壳: SOT-343F
供应商器件封装: