- 产品型号:NE552R679A-A
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:4-SMD
- 功能类别:RF FET
- 功能描述:IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
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Renesas瑞萨完整型号: NE552R679A-A
制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
功能总体简述: IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
系列: -
晶体管类型: LDMOS
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 460MHz
增益: 20dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 3V
额定电流: 350mA
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 300mA
功率 - 输出: 28dbm
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 3V
封装/外壳: 4-SMD,扁平引线
供应商器件封装: