- 产品型号:NE851M33-T3-A
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:3-SMD
- 功能类别:RF 晶体管(BJT)
- 功能描述:TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
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Renesas瑞萨完整型号: NE851M33-T3-A
制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
功能总体简述: TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 5.5V
频率 - 跃迁: 4.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: -
功率 - 最大值: 130mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 5mA,1V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 3 针 SuperMiniMold(M33)