- 产品型号:NE85633-T1B-R24-A
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:TO-236-3
- 功能类别:RF 晶体管(BJT)
- 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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Renesas瑞萨完整型号: NE85633-T1B-R24-A
制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
功能总体简述: RF TRANSISTOR NPN SOT-23
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB @ 1GHz
增益: 11.5dB
功率 - 最大值: 200mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 20mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23