- 产品型号:NP36P06KDG-E1-AY
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:TO-263
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
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Renesas瑞萨完整型号:NP36P06KDG-E1-AY
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):36A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):29.5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3100pF @ 10V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263