- 产品型号:RJK0223DNS-00#J5
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:8-DFN
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
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Renesas瑞萨完整型号:RJK0223DNS-00#J5
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
系列:-
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A,16A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1130pF @ 10V
功率 - 最大值:8W, 10W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-DFN(5x6)