RQK0607AQDQS#H1 >>> 瑞萨芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供瑞萨公司RQK0607AQDQS#H1报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购RQK0607AQDQS#H1？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

Renesas瑞萨完整型号: RQK0607AQDQS#H1

制造厂家名称: Renesas Electronics America

功能总体简述: MOSFET N-CH

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.4A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 170pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.5W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *