- 产品型号:UPA2690T1R-E2-AX
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:6-HUSON
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
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Renesas瑞萨完整型号:UPA2690T1R-E2-AX
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A,3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):42 毫欧 @ 2A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 10V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-HUSON(2x2)