- 产品型号:UPA2791GR-E2-AT
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:8-PSOP
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
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Renesas瑞萨完整型号:UPA2791GR-E2-AT
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-PSOP