- 产品型号:UPA2822T1L-E1-AT
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:8-HWSON
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
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Renesas瑞萨完整型号:UPA2822T1L-E1-AT
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):34A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 34A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):83nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4660pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商器件封装:8-HWSON(3.3x3.3)