STG3P2M10N60B >>> ST芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ST公司STG3P2M10N60B报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购STG3P2M10N60B？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ST意法半导体公司完整型号：STG3P2M10N60B

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2

系列：SEMITOP

IGBT 类型：-

配置：三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：19A

功率 - 最大值：56W

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，7A

电流 - 集电极截止（最大值）：10μA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：0.72nF @ 25V

输入：单相桥式整流器

NTC 热敏电阻：无

安装类型：底座安装

封装/外壳：SEMITOP2

供应商器件封装：SEMITOP2