STGW60H65DF >>> ST芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ST公司STGW60H65DF报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购STGW60H65DF？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ST意法半导体公司完整型号：STGW60H65DF

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 360W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，60A

功率 - 最大值：360W

Switching Energy：1.5mJ （开）， 1.1mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：206nC

25°C 时 Td（开/关）值：67ns/165ns

Test Condition：400V, 60A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：62ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247