STGWT80V60DF >>> ST芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ST公司STGWT80V60DF报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购STGWT80V60DF？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ST意法半导体公司完整型号：STGWT80V60DF

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 120A 469W TO-3P

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，80A

功率 - 最大值：469W

Switching Energy：1.8mJ （开）， 1mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：448nC

25°C 时 Td（开/关）值：60ns/220ns

Test Condition：400V， 80A， 5 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：60ns

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P