- 产品型号:STL15DN4F5
- 制 造 商:ST(意法半导体)
- 出厂封装:PowerFlat
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
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ST意法半导体公司完整型号:STL15DN4F5
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
系列:STripFET? V
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1550pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat(5x6)