- 产品型号:STL160NS3LLH7
- 制 造 商:ST(意法半导体)
- 出厂封装:PowerFlat
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
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ST意法半导体公司完整型号:STL160NS3LLH7
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
系列:DeepGATE, STripFET VII
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):160A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 18A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3245pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat(5x6)