- 产品型号:STP8N65M5
- 制 造 商:ST(意法半导体)
- 出厂封装:TO-220-3
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
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ST意法半导体公司完整型号:STP8N65M5
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
系列:MDmesh V
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):690pF @ 100V
功率 - 最大值:70W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 成形引线
供应商器件封装:TO-220-3