- 产品型号:STS9P2UH7
- 制 造 商:ST(意法半导体)
- 出厂封装:8-SO
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
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ST意法半导体公司完整型号:STS9P2UH7
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
系列:STripFET?
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):22.5 毫欧 @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2390pF @ 16V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO