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STU16N65M2
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ST意法半导体公司完整型号: STU16N65M2

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK

系列: MDmesh M2

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压(Vdss): 650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 360 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 19.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 718pF @ 100V

功率 - 最大值: 110W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装: IPAK(TO-251)


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