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东芝半导体公司完整型号：GT10G131(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 400V 1W 8-SOIC

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 4V， 200A

功率 - 最大值：1W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：3.1μs/2μs

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）