- 产品型号:RN1105MFV,L3F
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:VESM
- 功能类别:单路﹐预偏压式晶体管
- 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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东芝半导体公司完整型号:RN1105MFV,L3F
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
系列:-
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM