- 产品型号:RN4989FE(TE85L,F)
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:ES6
- 功能类别:阵列﹐预偏压式晶体管
- 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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东芝半导体公司完整型号:RN4989FE(TE85L,F)
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
系列:-
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):47k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6