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SSM3K35CTC,L3F
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东芝半导体公司完整型号: SSM3K35CTC,L3F

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 0.18A

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极,1.2V 驱动

漏源极电压(Vdss): 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 250mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 0.34nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 36pF @ 10V

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SC-101,SOT-883

供应商器件封装: CST3C


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