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SSM6K781G,LF
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东芝半导体公司完整型号:SSM6K781G,LF

制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):12V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 6V

功率 - 最大值:1.6W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-UFBGA,WLCSP

供应商器件封装:6-WCSPC (1.5x1.0)


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