- 产品型号:SSM6N7002BFE,LM
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:ES6
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
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东芝半导体公司完整型号:SSM6N7002BFE,LM
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.1 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17pF @ 25V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6