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东芝半导体公司完整型号: SSM6N7002CFU,LF

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 170mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.9 欧姆 @ 100mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 17pF @ 10V

功率 - 最大值: 285mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装: US6