TC58NYG2S0HBAI6 >>> 东芝半导体芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供东芝半导体公司TC58NYG2S0HBAI6报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购TC58NYG2S0HBAI6？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

东芝半导体公司完整型号: TC58NYG2S0HBAI6

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA

系列: -

格式 - 存储器: EEPROMs - 串行

存储器类型: EEPROM - NAND

存储容量: 4G（512M x 8）

速度: 25ns

接口: 并联

电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 67-VFBGA

供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）