- 产品型号:TK16A55D(STA4,Q,M)
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:TO-220SIS
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
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东芝半导体公司完整型号:TK16A55D(STA4,Q,M)
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):16A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):330 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS