- 产品型号:TK7Q60W,S1VQ
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:I-Pak
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
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东芝半导体公司完整型号:TK7Q60W,S1VQ
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 350μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 300V
功率 - 最大值:60W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
供应商器件封装:I-Pak