- 产品型号:TPN3300ANH,LQ
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:8-TSON高级
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
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东芝半导体公司完整型号:TPN3300ANH,LQ
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):33 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):880pF @ 50V
功率 - 最大值:27W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:8-TSON高级