- 产品型号:TPN4R203NC,L1Q
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:8-TSON高级
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
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东芝半导体公司完整型号:TPN4R203NC,L1Q
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):23A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 11.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1370pF @ 15V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:8-TSON高级