- 产品型号:SI4567DY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半导体)
- 出厂封装:8-SO
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
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Vishay威世半导体原厂型号:SI4567DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A,4.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):355pF @ 20V
功率 - 最大值:2.75W,2.95W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO