SI7840BDP-T1-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供Vishay公司SI7840BDP-T1-GE3报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购SI7840BDP-T1-GE3？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

Vishay威世半导体原厂型号：SI7840BDP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 16.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8

供应商器件封装：PowerPAK SO-8