- 产品型号:SI7856ADP-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半导体)
- 出厂封装:PowerPAK
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
深圳市诺森半导电子有限公司提供SI7856ADP-T1-GE3报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
SI7856ADP-T1-GE3 >>> Vishay芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供Vishay公司SI7856ADP-T1-GE3报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购SI7856ADP-T1-GE3?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
Vishay威世半导体原厂型号:SI7856ADP-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SO-8
供应商器件封装:PowerPAK SO-8