- 产品型号:SIA411DJ-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半导体)
- 出厂封装:PowerPAK
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
深圳市诺森半导电子有限公司提供SIA411DJ-T1-GE3报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
SIA411DJ-T1-GE3 >>> Vishay芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供Vishay公司SIA411DJ-T1-GE3报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购SIA411DJ-T1-GE3?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
Vishay威世半导体原厂型号:SIA411DJ-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 5.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 10V
功率 - 最大值:19W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SC-70-6
供应商器件封装:PowerPAK SC-70-6 单